专利分析方法之技术制造者分析

技术标引项分析中的“找人”还包括对真正的产出相关技术的自然人及其团队的发掘和分析，锁定具有所需技术特点的发明人及发明人团队，深入地分析和了解具体发明人及其团队的技术成果特点，同时，也可以在这个过程中，分析发明团队中各个发明人之间的配合关系和传承关系等，推测并借鉴优秀发明团队的搭建思路。

01、技术制造者的研究方向分析

案例1：英特尔在计算机指令系统领域的主要发明人分析

英特尔在计算机指令系统领域发明人排序

图表来源：杨铁军. 产业专利分析报告(第40册)高端通用芯片[M].北京：知识产权出版社，2016.

在英特尔在计算机指令系统领域，按发明人提交的发明数量进行排序，可以看出其中瓦尔排名第一，且其提交的45件专利申请，均是作为第一发明人，由此可见这位发明人在研发团队中的超然地位，主导着研发团队的创新力，尤其是其并未作为非第一发明人提交过专利申请，因而可以推测出该发明人很可能并非是在英特尔逐步成长起来的，而是外部聘请的技术专家，才能在一开始就以第一发明人的身份进行专利申请。反观排名第二的托尔和排名第三的凡伦天，二者作为非第一发明人分别提交了12件和20件专利申请，可以看出这两位发明人并非一开始就作为其研发团队的主导，而是逐步成长起来的。

英特尔在计算机指令系统领域第一发明人瓦尔在各技术分支的申请分布

图表来源：杨铁军. 产业专利分析报告(第40册)高端通用芯片[M].北京：知识产权出版社，2016.

对英特尔排名第一的瓦尔提交的45件发明专利设计的领域进行分析，设计5个一级技术分支和18个二级技术分支，覆盖了报告研究对象71.4%的一级技术分支和40.9%的二级技术分支，可见其在计算机指令系统中涉猎甚广，对英特尔计算机指令系统创新的影响度较高。

02、技术制造者的合作研发

案例2：三星3D NAND领域研发人员的合作关系

三星3D NAND领域研发人员的合作关系

图表来源：张茂于. 产业专利分析报告(第50册)芯片先进制造工艺[M].北京：知识产权出版社，2017.

三星3DNAND领域研

图表来源：张茂于.产业专利分析报告(第50册)芯片先进制造工艺[M].北京：知识产权出版社，2017.

对三星的发明人进行统计，可以获知有3个主要的研发团队，分别是金汗洙团队(第一团队)，黄棋铉团队(第二团队)，朴泳雨团队(第三团队)。从合作程度上看，三个团队之间两两合作，合作申请所占比例在16%-18%，其合作度约为1/6.从技术上看，对于堆叠方式，第一团队涉猎简单堆叠、垂直沟道和垂直栅型三种堆叠方式，第二团队涉猎垂直沟道，第三团队涉猎垂直沟道和垂直栅型;对于产品结构和工艺，第一团队和第三团队的研发重点在层间互联结构以及光刻蚀刻和整体，第二团队的研发重点在沟道以及深沟沉积。对照三星最终量产的V-NAND技术可知，主要由第三团队完成了已上市的V-NAND快闪存储器中使用的VG垂直栅结构的研发，但三星研究过多种方案，特别是在技术先进性较高的垂直沟道堆叠结构研发方面，三大团队均有参与，投入了较强的力量。