一种高亮度LED着陆灯聚光结构的制作方法

本实用新型涉及飞机着陆灯领域，特别地是，一种高亮度led着陆灯聚光结构。

背景技术：

目前，现有的飞机着陆灯以白炽灯光源、卤素灯光源为主，部分采用发光二极管光源，卤素灯光源与白炽灯光源原理相同，通过欧姆热对钨丝加热发出热辐射，部分辐射在可见光区域，通过一个大反光碗对光源发出的光进行二次聚光，因大部分能量以热的形式散发，能量转换效率较低，功耗较大；部分以发光二极管作为光源的着陆灯产品因光性能热衰以及光学设计方面存在不足等因素，中心光强继续优化的空间。

技术实现要素：

本实用新型目的是解决现有技术中飞机着陆灯以白炽灯光源、卤素灯光源为主的问题，而提供一种新型的高亮度led着陆灯聚光结构。

为了实现这一目的，本实用新型的技术方案如下：一种高亮度led着陆灯聚光结构，包含有，

灯具壳体；

灯具灯罩，其布置于所述灯具壳体的上方，所述灯具灯罩与所述灯具壳体共同界定出灯具容置腔室；

内光源基座，其被置于所述灯具容置腔室的内部，所述内光源基座的外周面上布置有内光源印制板，所述内光源印制板上形成有内光源led，所述内光源led的出光方向系沿水平向外；

外光源基座，其被置于所述灯具容置腔室的内部且环绕于所述内光源基座的外侧，所述外光源基座与所述内光源基座间相水平隔开，所述外光源基座的外周面上布置有所述外光源印制板，所述外光源印制板上形成有外光源led，所述外光源led的出光方向系水平向外；

内反光碗，其被置于所述灯具容置腔室的内部且环绕于所述内光源基座与所述外光源基座间，所述内反光碗的开口向上，所述内光源led布置于所述内反光碗的焦点位置，所述内光源led出射的光束沿水平向外，到达所述内反光碗的反射面后向上出射；以及，

外反光碗，其被置于所述灯具容置腔室的内部且环绕于所述外光源基座的外围，所述外反光碗的开口向上，所述外光源led布置于所述外反光碗的焦点位置，所述外光源led出射的光束沿水平向外，到达所述外反光碗的反射面后向上出射。

作为一种高亮度led着陆灯聚光结构的优选方案，所述内光源印制板沿圆周均匀分布。

作为一种高亮度led着陆灯聚光结构的优选方案，所述外光源印制板沿圆周均匀分布。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果至少在于：内光源印制板及外光源印制板采用圆周布置，使得着陆灯照射区域为圆形光斑，光斑均匀性较高，无明显棱角。通过外反光碗、内反光碗分别对外光源led、内光源led进行二次聚光，中心光强较高。

附图说明

图1为本实用新型一实施例的结构主视图。

图2为本实用新型一实施例的结构俯视图。

具体实施方式

下面通过具体的实施方式连接附图对本实用新型作进一步详细说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

请参见图1和2，图中示出的是一种高亮度led着陆灯聚光结构。

所述聚光结构由灯具壳体1、灯具灯罩2、内光源基座3、外光源基座4、内光源印制板5、外光源印制板6、内反光碗7及外反光碗8等部件组成。

所述灯具灯罩2布置于所述灯具壳体1的上方。所述灯具灯罩2与所述灯具壳体1共同界定出灯具容置腔室。所述灯具壳体1的底面设计有若干散热齿形。

所述内光源基座3被置于所述灯具容置腔室的内部。所述内光源基座3固定于所述灯具壳体1的底壁上。所述内光源基座3的外周面上分布有所述内光源印制板5。所述内光源印制板5上形成有内光源led。所述内光源led的出光方向系沿水平向外。

所述外光源基座4被置于所述灯具容置腔室的内部且环绕于所述内光源基座3的外侧。所述外光源基座4固定于所述灯具壳体1的底壁上。所述外光源基座4与所述内光源基座3间相水平隔开。所述外光源基座4的外周面上分布有所述外光源印制板6。所述外光源印制板6上形成有外光源led。所述外光源led的出光方向系水平向外。

所述内反光碗7被置于所述灯具容置腔室的内部且位于所述内光源基座3与所述外光源基座4间。所述内反光碗7为环形一体式。所述内反光碗7的开口向上。所述内光源led布置于所述内反光碗7的焦点位置。所述内光源led出射的光束沿水平向外，到达所述内反光碗7的反射面后向上出射。

所述外反光碗8被置于所述灯具容置腔室的内部且位于所述外光源基座4的外围。所述外反光碗8为环形一体式。所述外反光碗8的开口向上。所述外光源led布置于所述外反光碗8的焦点位置。所述外光源led出射的光束沿水平向外，到达所述外反光碗8的反射面后向上出射。

上述设计得到的着陆灯照射区域为圆形光斑，光斑均匀性较高，无明显棱角。

而以上仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但且不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。