晶体管的分类 晶体管电路设计分类

     1947年12月，世界上首只晶体管诞生，而后经过不断的改进，因其构件没有消耗、消耗电能极少、不需预热、结实可靠等优越性，被广泛用于军事、生活、生产等各个领域，是20世纪的一项重大发明。

 

    晶体管的种类繁多，有半导体三极管、电力晶体管、光晶体管、双极晶体管、场效应晶体管、静电感应晶体管等，而从材料、工艺、电流容量、工作频率、封装结构，以及从功能和用途上区分，又有不同的分法，但一般而言，晶体管可分为双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）两大类。
    双极性晶体管，全称双极性结型晶体管，俗称三极管，英文名 bipolar transistor ，是一种具有三个终端的电子器件。这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载子晶体管。双极性晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。
    场效应晶体管是利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET，全称为 field effect transistor 。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。